1个P沟道 耐压:8V 电流:5.8A
- 5+: ¥0.695008 / 个
- 50+: ¥0.559087 / 个
- 150+: ¥0.491127 / 个
- 500+: ¥0.440156 / 个
- 3000+: ¥0.383978 / 个 (折合1圆盘1151.93元)
- 6000+: ¥0.36359 / 个 (折合1圆盘1090.77元)
5+: |
¥0.695008 / 个 |
50+: |
¥0.559087 / 个 |
150+: |
¥0.491127 / 个 |
500+: |
¥0.440156 / 个 |
3000+: |
¥0.383978 / 个 (折合1圆盘1151.93元) |
6000+: |
¥0.36359 / 个 (折合1圆盘1090.77元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 8V | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
功率(Pd) | 960mW;1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V,4.4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@8V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 960pF@4V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 4V
功率 - 最大值:1.7W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)