1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
- 5+: ¥0.563021 / 个
- 50+: ¥0.498722 / 个
- 150+: ¥0.466573 / 个
- 500+: ¥0.442461 / 个
- 3000+: ¥0.359645 / 个 (折合1圆盘1078.94元)
5+: |
¥0.563021 / 个 |
50+: |
¥0.498722 / 个 |
150+: |
¥0.466573 / 个 |
500+: |
¥0.442461 / 个 |
3000+: |
¥0.359645 / 个 (折合1圆盘1078.94元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
功率(Pd) | 420mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@4.5V,1.6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 675pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |