1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
- 5+: ¥0.9609 / 个
- 50+: ¥0.7802 / 个
- 150+: ¥0.7027 / 个
- 500+: ¥0.6061 / 个
- 3000+: ¥0.4891 / 个 (折合1圆盘1467.3元)
- 6000+: ¥0.4632 / 个 (折合1圆盘1389.6元)
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¥0.7802 / 个 |
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¥0.7027 / 个 |
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¥0.6061 / 个 |
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¥0.4891 / 个 (折合1圆盘1467.3元) |
6000+: |
¥0.4632 / 个 (折合1圆盘1389.6元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
功率(Pd) | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,12A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC