1个N沟道 耐压:30V 电流:5.7A
- 5+: ¥0.4476 / 个
- 50+: ¥0.3636 / 个
- 150+: ¥0.3204 / 个
- 500+: ¥0.284818 / 个
- 3000+: ¥0.2724 / 个 (折合1圆盘817.2元)
- 6000+: ¥0.264 / 个 (折合1圆盘792元)
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¥0.284818 / 个 |
3000+: |
¥0.2724 / 个 (折合1圆盘817.2元) |
6000+: |
¥0.264 / 个 (折合1圆盘792元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26.5mΩ@10V,5.7A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.7A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L