P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 5+: ¥0.5278 / 个
- 50+: ¥0.4238 / 个
- 150+: ¥0.3718 / 个
- 500+: ¥0.3328 / 个
- 3000+: ¥0.3016 / 个 (折合1圆盘904.8元)
- 6000+: ¥0.286 / 个 (折合1圆盘858元)
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¥0.3016 / 个 (折合1圆盘904.8元) |
6000+: |
¥0.286 / 个 (折合1圆盘858元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
功率(Pd) | 1.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@4.5V,4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L