1个N沟道 耐压:100V 电流:19A
- 167+: ¥2.774078 / 个 (折合1圆盘463.27元)
- 200+: ¥2.724979 / 个 (折合1圆盘455.07元)
- 1000+: ¥2.651331 / 个 (折合1圆盘442.77元)
167+: |
¥2.774078 / 个 (折合1圆盘463.27元) |
200+: |
¥2.724979 / 个 (折合1圆盘455.07元) |
1000+: |
¥2.651331 / 个 (折合1圆盘442.77元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
功率(Pd) | 71W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 74mΩ@10V,19A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |