P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
- 5+: ¥0.453989 / 个
- 50+: ¥0.368239 / 个
- 150+: ¥0.324139 / 个
- 500+: ¥0.287815 / 个
- 3000+: ¥0.275139 / 个 (折合1圆盘825.42元)
- 6000+: ¥0.266564 / 个 (折合1圆盘799.69元)
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¥0.275139 / 个 (折合1圆盘825.42元) |
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¥0.266564 / 个 (折合1圆盘799.69元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
功率(Pd) | 860mW;1.6W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 112mΩ@4.5V,2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |