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数字晶体管

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3996
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  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
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  • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
  • 集电极电流(Ic): 100mA
  • 功率(Pd): 246mW
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  • DTC114EE
  • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
  • 封装: SOT-523
  • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF
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    • DTC144EET1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SC-75(SOT-523)
    • 描述: 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。
    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 250mW
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 晶体管类型: 2个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 功率(Pd): 150mW
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    • DTC143ZUA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-323
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V
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    • 第三阶梯9
    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-523
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
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    • 晶体管类型: 1个NPN-预偏置
    • 集射极击穿电压(Vceo): 50V
    • 集电极电流(Ic): 100mA
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    • DTC143ZCA
    • 品牌: TWGMC(台湾迪嘉)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW
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