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安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。

安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。

安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

综合排序 价格 库存 销量
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15933
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
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  • 二极管配置: 1对串联式
  • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
  • 直流反向耐压(Vr): 100V
  • 平均整流电流(Io): 215mA
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 平均整流电流(Io): 200mA
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 平均整流电流(Io): 200mA
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    • 集电极电流(Ic): 200mA
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    • 功能: 串行至串行或并行
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 24V
    • 最大钳位电压: 70V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 3A
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      • ¥0.291111
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 65V
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    • 广东仓: 271K+
      江苏仓: 240K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 250mW
  • 9.9 折
    • 订单数量按照以下:
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      • ¥0.056988
      • ¥0.049635
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    • 广东仓: 109K+
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    • 输入类型: 施密特触发器
    • 电源电压: 2V~6V
    • 供电电流(最大值): 2uA
    • 电路数: 6
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    • 广东仓: 111K+
      江苏仓: 32K+
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    • 2500个/圆盘
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    • PESD5V0S1BA,115
    • 品牌: Nexperia(安世)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 二极管类型: 双向TVS 钳位电压 最大: 14V 二极管封装形式: SOD-323 针脚数: 2 SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013) SMD标号: E6 TVS 极性: 双向 二极管配置: 双向 击穿电压: 9.5V 击穿电压 最小: 5.5V 击穿电压范围: 5.5V 至 9.5V 封装类型, 其它: SC-76 峰值脉冲电流: 12A 工作温度最小值: -65°C 工作温度最高值: 150°C 工作温度范围: -65°C 至 +150°C 截止电压: 5V 最低击穿电压: 5.5V 最高击穿电压: 9.5V 电压, Vrwm: 5V 电容值, Cd @ Vr 典型值: 35pF 电容值, Cd @ Vr 最大值: 45pF 脉冲峰值功率: 130W 针脚配置: 1 钳位电压, 8/20us 最大: 14V
    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 5V
    • 最大钳位电压: 14V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 12A
  • 9.9 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 3000+: 

      ¥0.136534
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      ¥0.130631
    • 9000+: 

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    • 广东仓: 51K+
      江苏仓: 60K+
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 300mA
    • 功率(Pd): 830mW
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第六阶梯9.9
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    • 广东仓: 605K+
      江苏仓: 13K+
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    • 电源电压: 2V~6V
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
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    • 二极管配置: 2个独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 250mA
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    • 晶体管类型: NPN
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    • 晶体管类型: NPN
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
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    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
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    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
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