1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 5+: ¥1.0656 / 个
- 50+: ¥0.8598 / 个 (折合1管64.49元)
- 150+: ¥0.7716 / 个 (折合1管57.87元)
- 500+: ¥0.6615 / 个 (折合1管49.61元)
5+: |
¥1.0656 / 个 |
50+: |
¥0.8598 / 个 (折合1管64.49元) |
150+: |
¥0.7716 / 个 (折合1管57.87元) |
500+: |
¥0.6615 / 个 (折合1管49.61元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
功率(Pd) | 77W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7Ω@10V,2A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
美國福斯特半導體集團(FIRST SEMICONODUCTOR)從事半導體的國際生產廠商及供應商。公司註冊於美國佛羅裏達。工廠設立在泰國,馬來西亞,中國。多年來一直專注於半導體產品研發生產。從晶片到封裝,Firstsemi公司具有強大的科研力量,先進的科研設備,是行業內能提供最全面的半導體產品企業之一。產品主要應用在電源,充電器,UPS,逆變器,小家電,安防,汽車電子,LED照明等領域。
立创商城现推出美国福斯特MOS FIR4N65BPG,FIR7N65FG,FIR12N65FG一系列产品,广泛应用于开关电源,模块电源5瓦,10瓦,15瓦,25瓦,50瓦,75瓦等功率等级。