1个N沟道 耐压:80V 电流:190A
- 1+: ¥9.48 / 个
- 10+: ¥8.05 / 个
- 30+: ¥7.27 / 个 (折合1管218.1元)
- 100+: ¥6.39 / 个 (折合1管191.7元)
- 500+: ¥5.3 / 个 (折合1管159元)
- 1000+: ¥5.13 / 个 (折合1管153.9元)
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¥8.05 / 个 |
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¥7.27 / 个 (折合1管218.1元) |
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¥6.39 / 个 (折合1管191.7元) |
500+: |
¥5.3 / 个 (折合1管159元) |
1000+: |
¥5.13 / 个 (折合1管153.9元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
连续漏极电流(Id) | 190A | |
功率(Pd) | 326W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,40A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
超大功率高速场效应管
80V/190A
3.9毫欧超低导通阻值,采用先进MOS管技术,极易驱动。
TO-247封装
广泛应用于大功率逆变器,SMPS等高速超大功率场合