1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 1+: ¥13.05 / 个
- 10+: ¥11.32 / 个
- 30+: ¥10.24 / 个
- 100+: ¥8.08 / 个
- 500+: ¥7.58 / 个
- 1000+: ¥7.37 / 个 (折合1圆盘18425元)
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¥13.05 / 个 |
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¥11.32 / 个 |
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¥10.24 / 个 |
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¥8.08 / 个 |
500+: |
¥7.58 / 个 |
1000+: |
¥7.37 / 个 (折合1圆盘18425元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
功率(Pd) | 3.1W;195W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2mΩ@10V,28A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 53nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.23nF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |