1个N沟道 耐压:20V 电流:915mA
- 1+: ¥2.27808 / 个
- 300+: ¥2.2374 / 个
- 2000+: ¥2.19672 / 个 (折合1圆盘6590.16元)
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¥2.2374 / 个 |
2000+: |
¥2.19672 / 个 (折合1圆盘6590.16元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 915mA | |
功率(Pd) | 300mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@4.5V,600mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.82nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 110pF@16V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |