1个N沟道 耐压:100V 电流:150mA
- 订单数量按照以下:
- 第四阶梯9.9折
- 第五阶梯9.9折
- 第六阶梯9.9折
- 10+: ¥0.324477
- 100+: ¥0.262993
- 300+: ¥0.232252
- 3000+: ¥0.202388 ¥0.204432 (折合1圆盘613.3元)
- 6000+: ¥0.184127 ¥0.185987 (折合1圆盘557.96元)
- 9000+: ¥0.174997 ¥0.176765 (折合1圆盘530.3元)
10+: |
¥0.324477 |
100+: |
¥0.262993 |
300+: |
¥0.232252 |
3000+: |
¥0.202388 ¥0.204432 (折合1圆盘613.3元) |
6000+: |
¥0.184127 ¥0.185987 (折合1圆盘557.96元) |
9000+: |
¥0.174997 ¥0.176765 (折合1圆盘530.3元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 150mA | |
功率(Pd) | 250mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,120mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.8V@1mA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 40pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 120mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 25V
功率 - 最大值:250mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)