1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
- 1+: ¥4.83 / 个
- 10+: ¥4.14 / 个
- 30+: ¥3.8 / 个
- 100+: ¥3.46 / 个
- 500+: ¥2.77 / 个
- 1000+: ¥2.67 / 个 (折合1圆盘13350元)
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¥4.83 / 个 |
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30+: |
¥3.8 / 个 |
100+: |
¥3.46 / 个 |
500+: |
¥2.77 / 个 |
1000+: |
¥2.67 / 个 (折合1圆盘13350元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
功率(Pd) | 125W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,10A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 49.9nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.604nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 6.5pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |