1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
- 10+: ¥0.266851 / 个
- 100+: ¥0.218851 / 个
- 300+: ¥0.194851 / 个
- 3000+: ¥0.151682 / 个 (折合1圆盘455.05元)
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¥0.151682 / 个 (折合1圆盘455.05元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
功率(Pd) | 450mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,1.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 620mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 290pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |