1个N沟道 耐压:60V 电流:1.5A
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- 5+: ¥1.0902
- 50+: ¥0.887
- 150+: ¥0.7999
- 500+: ¥0.684288 ¥0.6912
- 3000+: ¥0.607662 ¥0.6138 (折合1圆盘1841.4元)
- 6000+: ¥0.578853 ¥0.5847 (折合1圆盘1754.1元)
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¥0.684288 ¥0.6912 |
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¥0.607662 ¥0.6138 (折合1圆盘1841.4元) |
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¥0.578853 ¥0.5847 (折合1圆盘1754.1元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
功率(Pd) | 480mW;1.45W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 222mΩ@1.5A,10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.8nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 177pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |