1个N沟道 耐压:20V 电流:7.3A
- 1+: ¥2.9099 / 个
- 200+: ¥1.1261 / 个
- 500+: ¥1.0866 / 个
- 1000+: ¥1.067 / 个 (折合1圆盘3201元)
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¥1.1261 / 个 |
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¥1.0866 / 个 |
1000+: |
¥1.067 / 个 (折合1圆盘3201元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
功率(Pd) | 1.7W;12.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@7.3A,4.5V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.24nF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |