1个N沟道 耐压:60V 电流:330mA
- 10+: ¥0.232254 / 个
- 100+: ¥0.184415 / 个
- 300+: ¥0.160496 / 个
- 3000+: ¥0.142556 / 个 (折合1圆盘427.67元)
- 6000+: ¥0.128205 / 个 (折合1圆盘384.62元)
- 9000+: ¥0.121029 / 个 (折合1圆盘363.09元)
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¥0.142556 / 个 (折合1圆盘427.67元) |
6000+: |
¥0.128205 / 个 (折合1圆盘384.62元) |
9000+: |
¥0.121029 / 个 (折合1圆盘363.09元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 330mA | |
功率(Pd) | 265mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,200mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 23.6pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |