1个N沟道 耐压:30V 电流:60A 电流:20A
- 1+: ¥8.76 / 个
- 10+: ¥7.56 / 个
- 30+: ¥6.9 / 个
1+: |
¥8.76 / 个 |
10+: |
¥7.56 / 个 |
30+: |
¥6.9 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 20A;60A | |
功率(Pd) | 2.8W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.4mΩ@18A,8V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.44nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |