1个N沟道 耐压:30V 电流:11.6A
- 1+: ¥5.94 / 个
- 10+: ¥4.93 / 个
- 30+: ¥4.42 / 个
1+: |
¥5.94 / 个 |
10+: |
¥4.93 / 个 |
30+: |
¥4.42 / 个 |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
功率(Pd) | 2.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,11.6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.235nF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |