1个P沟道 耐压:60V 电流:2.3A
- 1+: ¥3.22 / 个
- 10+: ¥2.63 / 个
- 30+: ¥2.33 / 个
- 100+: ¥2.04 / 个
- 500+: ¥1.44 / 个
- 1000+: ¥1.35 / 个 (折合1圆盘4050元)
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¥2.04 / 个 |
500+: |
¥1.44 / 个 |
1000+: |
¥1.35 / 个 (折合1圆盘4050元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
功率(Pd) | 1.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,2.3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.7nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 637pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |