1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
- 1+: ¥6.67 / 个
- 10+: ¥6.04 / 个
- 30+: ¥5.69 / 个
- 100+: ¥5.3 / 个
- 500+: ¥5.13 / 个
- 1000+: ¥5.05 / 个 (折合1圆盘12625元)
1+: |
¥6.67 / 个 |
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¥6.04 / 个 |
30+: |
¥5.69 / 个 |
100+: |
¥5.3 / 个 |
500+: |
¥5.13 / 个 |
1000+: |
¥5.05 / 个 (折合1圆盘12625元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
功率(Pd) | 85W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V,4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 375pF@100V |