1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 10+: ¥3.5784 ¥8.52
- 30+: ¥3.2424 ¥7.72
- 100+: ¥2.898 ¥6.9
- 500+: ¥2.7426 ¥6.53
- 1000+: ¥2.6754 ¥6.37 (折合1圆盘15925元)
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¥2.898 ¥6.9 |
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¥2.7426 ¥6.53 |
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¥2.6754 ¥6.37 (折合1圆盘15925元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
功率(Pd) | 35W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@48V |