1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
- 1+: ¥12 / 个
- 10+: ¥10.38 / 个
- 30+: ¥9.36 / 个
- 100+: ¥8.32 / 个
- 500+: ¥7.85 / 个
- 1000+: ¥7.65 / 个 (折合1圆盘19125元)
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¥10.38 / 个 |
30+: |
¥9.36 / 个 |
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¥8.32 / 个 |
500+: |
¥7.85 / 个 |
1000+: |
¥7.65 / 个 (折合1圆盘19125元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
功率(Pd) | 110W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.4nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 360pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |