N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
- 5+: ¥0.53579 / 个
- 50+: ¥0.473778 / 个
- 150+: ¥0.442772 / 个
- 500+: ¥0.419517 / 个
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@4.5V,6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1160pF @ 10V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L