1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
- 1+: ¥6.7 / 个
- 10+: ¥5.69 / 个
- 30+: ¥5.14 / 个
- 100+: ¥4.52 / 个
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100+: |
¥4.52 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
功率(Pd) | 70W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 540pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 50V
功率 - 最大值:70W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:D-Pak