1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
- 1+: ¥11.23 / 个
- 10+: ¥9.7 / 个
- 30+: ¥8.75 / 个
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10+: |
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30+: |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
功率(Pd) | 3.1W;125W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |