1个N沟道 耐压:1kV 电流:3.1A
- 1+: ¥6.12 / 个
- 10+: ¥5.05 / 个
- 50+: ¥4.32 / 个 (折合1管216元)
- 100+: ¥3.79 / 个 (折合1管189.5元)
- 500+: ¥3.47 / 个 (折合1管173.5元)
- 1000+: ¥3.31 / 个 (折合1管165.5元)
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¥4.32 / 个 (折合1管216元) |
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¥3.79 / 个 (折合1管189.5元) |
500+: |
¥3.47 / 个 (折合1管173.5元) |
1000+: |
¥3.31 / 个 (折合1管165.5元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 1kV | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
功率(Pd) | 125W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,1.9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 80nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 980pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):980pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB