1个P沟道 耐压:30V 电流:70A 电流:15A
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商品介绍
P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；70A | |
| 功率(Pd) | 2.5W；90W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@20V,20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.3nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Ta），70A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5300pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
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