1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 20+: ¥0.208089 ¥0.214525
- 200+: ¥0.164501 ¥0.169589
- 600+: ¥0.140285 ¥0.144624
- 3000+: ¥0.125757 ¥0.129646 (折合1圆盘388.94元)
- 9000+: ¥0.113164 ¥0.116664 (折合1圆盘349.99元)
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¥0.140285 ¥0.144624 |
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¥0.125757 ¥0.129646 (折合1圆盘388.94元) |
9000+: |
¥0.113164 ¥0.116664 (折合1圆盘349.99元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
功率(Pd) | 400mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 112mΩ@4.5V,2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |