1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.5A 电流:5A
- 5+: ¥2.2039 / 个
- 50+: ¥1.7945 / 个
- 150+: ¥1.619 / 个
- 500+: ¥1.4 / 个
- 2500+: ¥1.3025 / 个 (折合1圆盘3256.25元)
- 5000+: ¥1.2441 / 个 (折合1圆盘3110.25元)
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¥1.3025 / 个 (折合1圆盘3256.25元) |
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¥1.2441 / 个 (折合1圆盘3110.25元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A;5A | |
功率(Pd) | 900mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@6.5A,4.5V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 650pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |