1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
- 1+: ¥10.31 / 个
- 10+: ¥8.97 / 个
- 30+: ¥8.13 / 个
- 100+: ¥7.27 / 个
- 500+: ¥6.88 / 个
- 800+: ¥6.71 / 个 (折合1圆盘5368元)
1+: |
¥10.31 / 个 |
10+: |
¥8.97 / 个 |
30+: |
¥8.13 / 个 |
100+: |
¥7.27 / 个 |
500+: |
¥6.88 / 个 |
800+: |
¥6.71 / 个 (折合1圆盘5368元) |
单击复制
单击复制
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
功率(Pd) | 375W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 190nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.23nF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |