1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 1+: ¥12.14 / 个
- 10+: ¥10.51 / 个
- 30+: ¥9.5 / 个
- 100+: ¥8.45 / 个
- 500+: ¥7.98 / 个
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10+: |
¥10.51 / 个 |
30+: |
¥9.5 / 个 |
100+: |
¥8.45 / 个 |
500+: |
¥7.98 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
功率(Pd) | 110W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,30A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 66nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) |