1个N沟道 耐压:25V 电流:11.2A 电流:73A
- 1+: ¥6.29 / 个
- 10+: ¥5.24 / 个
- 30+: ¥4.71 / 个
- 100+: ¥4.19 / 个
- 500+: ¥3.56 / 个
- 1000+: ¥3.4 / 个 (折合1圆盘8500元)
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1000+: |
¥3.4 / 个 (折合1圆盘8500元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 11.2A;73A | |
功率(Pd) | 1.3W;54.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.2mΩ@10V,30A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.563nF@12V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.2A(Ta),73A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1563pF @ 12V
功率 - 最大值:1.3W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK-3