1个N沟道 耐压:20V 电流:2A
- 5+: ¥2.0564 / 个
- 50+: ¥1.7049 / 个
- 150+: ¥1.5542 / 个
- 500+: ¥1.3662 / 个
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¥1.5542 / 个 |
500+: |
¥1.3662 / 个 |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
功率(Pd) | 500mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4.5V,2A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.3nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 423pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |