2个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
- 1+: ¥5.49 / 个
- 10+: ¥4.56 / 个
- 30+: ¥4.1 / 个
1+: |
¥5.49 / 个 |
10+: |
¥4.56 / 个 |
30+: |
¥4.1 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
功率(Pd) | 750mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 68mΩ@4.5V,1A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 410pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |