1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
- 1+: ¥3.87 / 个
- 10+: ¥3.22 / 个
- 30+: ¥2.89 / 个
- 100+: ¥2.57 / 个
- 500+: ¥2.38 / 个
- 1000+: ¥2.28 / 个 (折合1圆盘6840元)
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¥2.57 / 个 |
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¥2.38 / 个 |
1000+: |
¥2.28 / 个 (折合1圆盘6840元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
功率(Pd) | 7.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Ta),85A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3505pF @ 15V
功率 - 最大值:7.3W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装:8-DFN(5x6)