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N沟道 耐压:75V 电流:80A

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品  牌: ST(意法半导体)
厂家型号: STP75NF75

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商品编号: C13678

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封装: TO-220
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商品毛重: 2.74克(g)
包装方式: 管装
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商品介绍

N沟道,75V,80A,9.5mΩ@10V
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属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 75V
连续漏极电流(Id) 80A
功率(Pd) 300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 160nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 3.7nF@25V
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB

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