1个P沟道 耐压:20V 电流:2.6A
- 5+: ¥0.756262 / 个
- 50+: ¥0.60425 / 个
- 150+: ¥0.528243 / 个
- 500+: ¥0.471239 / 个
- 3000+: ¥0.425635 / 个 (折合1圆盘1276.91元)
- 6000+: ¥0.402833 / 个 (折合1圆盘1208.5元)
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¥0.471239 / 个 |
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¥0.425635 / 个 (折合1圆盘1276.91元) |
6000+: |
¥0.402833 / 个 (折合1圆盘1208.5元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
功率(Pd) | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 135mΩ@4.5V,2.6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@10uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 220pF@16V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |