1个N沟道 耐压:60V 电流:2.3A
- 5+: ¥1.8132 / 个
- 50+: ¥1.486 / 个
- 150+: ¥1.3458 / 个
- 500+: ¥1.1708 / 个
- 3000+: ¥0.8613 / 个 (折合1圆盘2583.9元)
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¥1.3458 / 个 |
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¥1.1708 / 个 |
3000+: |
¥0.8613 / 个 (折合1圆盘2583.9元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
功率(Pd) | 1.09W;1.66W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 156mΩ@10V,1.9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):156 毫欧 @ 1.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):190pF @ 30V
功率 - 最大值:1.66W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)