1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6.5A 电流:9A
- 1+: ¥9.94 / 个
- 10+: ¥8.69 / 个
- 30+: ¥7.9 / 个
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10+: |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 9A;6.5A | |
功率(Pd) | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@9A,10V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |