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IGBT管/模块

”共 5178件相关商品
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-264-3
    • 描述: 安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
    • IGBT类型: NPT(非穿通型)
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 64A
    • 功率(Pd): 500W
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    • FGH60N60SMD
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-247-3
    • 描述: 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
    • IGBT类型: FS(场截止)
    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 120A
    • 功率(Pd): 600W
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    • 集射极击穿电压(Vces): 650V
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    耐压:600V 电流:35A
    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 35A
    • 功率(Pd): 125W
    • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.75V@15V,12A
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    • CRG25T120BK3S
    • 品牌: CRMICRO(华润微)
    • 封装: TO-247
    • 描述: UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000 25A 1200V 半电流IGBT 25T120；完全兼容BT25T120CKD C2897743、IGF25T120D
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 25A
    • 功率(Pd): 278W
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    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 80A
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    • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,30A
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    • IGBT类型: FS(场截止)
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    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 20A
    • 功率(Pd): 65W
    • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.5V@15V,5A
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    • IGBT类型: NPT(非穿通型)
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-247-3
    • 描述: 安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。
    • IGBT类型: FS(场截止)
    • 集射极击穿电压(Vces): 650V
    • 集电极电流(Ic): 100A
    • 功率(Pd): 268W
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    耐压:650V 电流:40A
    • CRG40T65AN5H
    • 品牌: CRMICRO(华润微)
    • 封装: TO-3PN
    • 描述: 光伏逆变 储能 UPS 电焊机 兼容华润微 CRG40T60AN3H和BT40T60AN3H 替代英飞凌infineon IKW40N65H5 士兰 SGTP40V65FDR1P7
    • 集射极击穿电压(Vces): 650V
    • 集电极电流(Ic): 40A
    • 功率(Pd): 250W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.65V
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