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安森美半导体 (onsemi) 致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业及医疗应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
综合排序 价格 库存 销量
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41779
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 二极管配置: 独立式
  • 正向压降(Vf): 1V@10mA
  • 直流反向耐压(Vr): 100V
  • 平均整流电流(Io): 200mA
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 20+: 

      ¥0.173429
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    • 广东仓: 28K+
      江苏仓: 19K+
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    • LM358DR2G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8
    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 1MHz
    • 输入偏置电流(Ib): 45nA
    • 输出电流: 40mA
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  • SMT基础库
    • 1+: 

      ¥2.41
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    • 广东仓: 37K+
      江苏仓: 4651
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    • 输入失调电压(Vos): 5mV
    • 输入偏置电流(Ib): 250nA
    • 工作电压: 1V~18V;2V~36V
    • 输出类型: 开集
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  • SMT基础库
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      ¥1.1745
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      ¥0.6643
    • 5000+: 

      ¥0.6464
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    • 广东仓: 3040
      江苏仓: 32K+
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    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 3.3V
    • 最大钳位电压: 11.5V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 2A
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    • 10+: 

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    • 1000+: 

      ¥0.132359
    • 5000+: 

      ¥0.124987
    • 8000+: 

      ¥0.120001
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    • 广东仓: 300K
      江苏仓: 73K+
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    • 8000个/圆盘
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    • 输入失调电压(Vos): 7mV
    • 输入偏置电流(Ib): 250nA
    • 工作电压: 1V~18V;2V~36V
    • 输出类型: 开集
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥0.8663
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      ¥0.682
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      ¥0.5921
    • 500+: 

      ¥0.5118
    • 2500+: 

      ¥0.4898
    • 5000+: 

      ¥0.4765
    现货最快4H发
    • 广东仓: 73K+
      江苏仓: 57K+
    • 圆盘
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    • 2500个/圆盘
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    • MMBT3906LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23(TO-236)
    • 描述: 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 20+: 

      ¥0.123523
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      ¥0.075568
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      ¥0.071971
    • 21000+: 

      ¥0.069574
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    • 广东仓: 11K+
      江苏仓: 69K+
    • 圆盘
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    • SS14
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SMA(DO-214AC)
    • 描述: 该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
    • 正向压降(Vf): 500mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 1A
    • 反向电流(Ir): 200uA@40V
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      ¥0.8836
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    • 广东仓: 53K+
      江苏仓: 64K+
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    • 7500个/圆盘
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 200mA
    • 功率(Pd): 225mW
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      ¥0.403195
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      ¥0.239316
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    • 广东仓: 78K+
      江苏仓: 18K+
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    • 反向截止电压(Vrwm): 24V
    • 最大钳位电压: 44V
    • 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000us: 350W
    • 击穿电压: 26.2V
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    • 6000+: 

      ¥0.5366
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    • 广东仓: 12K+
      江苏仓: 25K+
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    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 功率(Pd): 225mW
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.199195
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      ¥0.129714
    • 6000+: 

      ¥0.124414
    • 9000+: 

      ¥0.120828
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    • 广东仓: 50K+
      江苏仓: 14K+
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    • 3000个/圆盘
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    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 16MHz
    • 输入偏置电流(Ib): 300nA
    • 压摆率(SR): 7V/us
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥1.5279
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      ¥1.2041
    • 150+: 

      ¥1.046
    • 500+: 

      ¥0.905
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      ¥0.8663
    • 5000+: 

      ¥0.8431
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 10K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 1MHz
    • 输入偏置电流(Ib): 45nA
    • 输出电流: 40mA
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥1.0309
    • 50+: 

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    • 150+: 

      ¥0.7073
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      ¥0.6126
    • 2500+: 

      ¥0.5866
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 4215
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    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • CAT24C256WI-GT3
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C,内部组织为 512 页,每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止(这样会保护整个内存)。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC(错误修正代码)使得该器件适用于高可靠性应用。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 256Kbit
    • 工作电压: 1.8V~5.5V
    • 工作温度: -40℃~+85℃
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥3.01
    • 10+: 

      ¥2.54
    • 30+: 

      ¥2.22
    • 100+: 

      ¥1.95
    • 500+: 

      ¥1.87
    • 1000+: 

      ¥1.81
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    • 广东仓: 4386
      江苏仓: 67
    • 圆盘
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    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • MMBT5401LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 150V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.232788
    • 100+: 

      ¥0.189287
    • 300+: 

      ¥0.166915
    • 3000+: 

      ¥0.148488
    • 6000+: 

      ¥0.142058
    • 9000+: 

      ¥0.137708
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    • 广东仓: 39K+
      江苏仓: 900
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 130mA
    • 功率(Pd): 225mW
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  • SMT扩展库
    • 5+: 

      ¥0.4433
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      ¥0.3663
    • 150+: 

      ¥0.3267
    • 500+: 

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    • 3000+: 

      ¥0.2827
    • 6000+: 

      ¥0.275
    现货最快4H发
    • 广东仓: 185
      江苏仓: 28K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • FDV301N
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 25V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 功率(Pd): 350mW
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  • SMT扩展库
    • 10+: 

      ¥0.333422
    • 100+: 

      ¥0.270354
    • 300+: 

      ¥0.237919
    • 3000+: 

      ¥0.211202
    • 6000+: 

      ¥0.201879
    • 9000+: 

      ¥0.195572
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    • 广东仓: 20K+
      江苏仓: 16K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • NCP1654BD65R2G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 实现紧凑性和耐用性的功率因数校正控制器,连续导通模式预转换器,NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM),取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装,最大程度减少了外部部件数量,并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能,使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。
    • 电源电压: 9V~20V
    • 开关频率: 58kHz~72kHz
    • 工作温度: -40℃~+125℃
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥3.45
    • 10+: 

      ¥2.92
    • 30+: 

      ¥2.55
    • 100+: 

      ¥2.24
    • 500+: 

      ¥2.15
    • 1000+: 

      ¥2.09
    现货最快4H发
    • 广东仓: 54K+
      江苏仓: 11K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2500个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 6N137SDM
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOP-8-2.54mm
    • 描述: 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED,与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极,允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流(扇出 8)。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制,通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。
    • 输入类型: DC
    • 电源电压: 4.5V~5.5V
    • 隔离电压(rms): 5kV
    • 共模瞬变抗扰度CMTI: 10kV/us
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

      ¥4.69
    • 10+: 

      ¥4.01
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 正向压降(Vf): 500mV@900mA
    • 直流反向耐压(Vr): 20V
    • 平均整流电流(Io): 1A
    • 反向电流(Ir): 50uA@15V
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    • MRA4007T3G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SMA(DO-214AC)
    • 描述: 该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。
    • 正向压降(Vf): 1.18V@2A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 1A
    • 反向电流(Ir): 10uA@1kV
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    • MJD44H11T4G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-252-2(DPAK)
    • 描述: 该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 8A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 功率(Pd): 1.75W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 500mA
    • 功率(Pd): 690mW
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    • 正向压降(Vf): 500mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 平均整流电流(Io): 200mA
    • 反向电流(Ir): 30uA@10V
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    • MMBT3904LT1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 电源电压: 10V~36V
    • 开关频率: 500kHz
    • 最大占空比: 48%
    • 拓扑结构: 反激式;升压式
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    • 正向压降(Vf): 1V@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 200mA
    • 反向电流(Ir): 5uA@75V
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    • 广东仓: 51K+
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    • FSUSB42MUX
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: MSOP-10
    • 描述: FSUSB42 是一款双向、小功率、两端口、高速 USB2.0 开关。它配置为双刀双掷 (DPDT) 开关,适用于两个高速 (480Mbps) 源或高速和全速 (12Mbps) 源之间的切换。FSUSB42 符合 USB2.0 的要求,具有 5.5pF 的极低导通电容 (CON)。此器件的宽带宽 (720MHz) 超过了传递第三谐波所需的带宽,因此信号边缘和相失真都特别小。卓越的沟道-沟道串扰性能还最大程度减少了干扰。FSUSB42 在该开关 I/O 引脚上包含了特殊电路,用于 VCC 供电断电 (VCC=0) 的应用,使得该器件能够抵御过电压情况。此器件针对最大程度减小电流耗量而设计,即使应用到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 (VCC) 时也是如此。此功能在蜂窝电话等超移动应用中尤其有用;可直接接口基带处理器的通用 I/O。其他应用包括移动蜂窝电话、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和接口共享。
    • 工作电压: 2.4V~4.4V
    • 导通电阻(Ron@VCC): 6.5Ω
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    • 广东仓: 465
      江苏仓: 3614
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